杨茜碳化硅功率模块电力电子有限公司

BASiC™基半股份一级代理商倾佳电子杨茜全力推进SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，实现电力电子产业升级和自主可控！为什么在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC碳化硅模块全面革掉IGBT模块的命！IGBT模块在十几 kHz开关频率中就会表现出严重的局限性，由于IGBT模块尾电流导致损耗较大。使用 SiC-MOSFET模块，开关频率增加，从而减小了滤波器体积。SiC 模块允许在数十和数百 kHz 的频率下运行，开关损耗相对较低，从而显著减少了滤波器和散热热系统的体积。这些技术进步使变流器总体积大幅度减少，效率提高，从而能够在较低温度下运行并可能延长组件的使用寿命。为了满足PCS储能变流器更高效的需求，使用基本公司碳化硅SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块，可以提升系统效率1%，... [详细介绍]